隨著工藝制程的逐漸提升，EUV以及高NA EUV光刻機(jī)的出現(xiàn)，對于掩膜帶來了新的挑戰(zhàn)。掩模缺陷的影響將越來越大，這表明掩模設(shè)計規(guī)則需要變得更加嚴(yán)格。

　　因此，為了實現(xiàn)更加靈活的光刻過程，業(yè)界開始研究用其他的東西取代物理掩膜，甚至干脆不使用掩膜進(jìn)行加工，這樣的方法稱為“無掩膜光刻”。

　　直寫光刻也稱無掩膜光刻，是指計算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，無需掩膜直接進(jìn)行掃描曝光。

　　直寫光刻根據(jù)輻射源的不同大致可進(jìn)一步分為兩大主要類型：一種是基于帶電粒子的直寫光刻（CPML），包括電子束直寫、離子束直寫等；另一種是基于光學(xué)的直寫光刻（OML），包括干涉光刻、激光直寫光刻，以及基于空間光調(diào)節(jié)器的光刻技術(shù)等。

　　使用可編程控制的SLM器件直接對照明光束進(jìn)行調(diào)制，形成不同的圖形直接投影在襯底上完成曝光，相當(dāng)于將實體的掩膜版數(shù)字化，稱為基于SLM的數(shù)字光刻技術(shù)。

　　無掩膜光刻是一種能將光的空間分布進(jìn)行調(diào)制的微型器件，由很多微小單元呈線型或方陣排列而成。這些單元通過計算機(jī)編程控制，便捷的將圖形掩膜數(shù)字化，通過編程靈活性的改變掩膜形狀，替代了傳統(tǒng)光刻使用的“物理掩膜版”，從而避免了傳統(tǒng)光刻系統(tǒng)掩膜版制造復(fù)雜昂貴、靈活性差等問題。

　　無掩膜光刻在泛半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，直寫光刻與掩膜光刻應(yīng)用的細(xì)分市場所要求的光刻精度（最小線寬）具有明顯差別。